第22次 / 請利用網路查詢並列出輔助記憶體之種類及規格有那些?

可擦除可規劃式唯讀記憶體

（英語：Erasable Programmable Read Only Memory），由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶片——即非揮發性的（非揮發性）。它是一組浮柵電晶體，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。

一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除窗口必須保持覆蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS晶片，一般是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS發行商名稱、版本和版權聲明的標籤所覆蓋。

一些在快閃記憶體出現前生產的微控制器，具有使用EPROM來儲存程式的版本，以利於程式開發；因為，如使用一次性可編程器件，在調試時將造成嚴重浪費。


可編程式唯讀記憶體 

（英語：Programmable read-only memory），縮寫為 PROM 或 FPROM，是一種電腦存儲記憶晶片，每個位元都由熔絲或反熔絲的狀態決定資料內容。這種記憶體用作永久存放程式之用。常用於電子遊戲機、電子詞典等預存固定資料或程式的各式電子產品之上。PROM與狹義的 ROM（Mask ROM）的差別在於前者可在IC製造完成後才依需要寫入資料，後者的資料需在製造IC時一併製作在裡面。

電子抹除式可複寫唯讀記憶體 

（英語：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），是一種可以通過電子方式多次複寫的半導體存儲設備。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除晶片上的資訊，以便寫入新的數據。

EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦拭模式、校驗模式。讀取時，晶片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入時，晶片通過Vpp（一般+25V, 較新者可能使用 12V 或 5V）獲得編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦拭時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦拭指定位址的內容。為保證寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫入時間也已有縮短。

由於EEPROM的優秀效能，以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦拭的BIOS晶片以及快閃記憶體晶片，並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片，甚至取代部份的硬碟功能（見固態硬碟）。它與高速RAM成為當前（21世紀00年代）最常用且發展最快的兩種儲存技術。他可以直接利用電氣訊號來更新程式，所以比EPROM更方便。

MASK ROM（MROM）

是一個類型的只讀存儲器（ROM）的，其內容是由編程的集成電路製造商（而不是由用戶）。來自集成電路製造，蒙面地區的芯片在光刻過程中的術語“面具” 。

常見的做法是使用可擦寫的非常失性內存